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Samsung 1.0 TB 990 EVO M.2 NVMe SSD Bild 1

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    Samsung 1.0 TB 990 EVO M.2 NVMe SSD

    zzgl. Steuern: 122,40 € Inkl. Steuern: 145,66 €
    • M.2/NGFF 22x80 mm
    • PCIe 4.0 x4 - 64 Gb/s
    • Chiptyp: V-NAND TLC
    • max. Read: 5.000 MB/s
    • max. Write: 4.200 MB/s
    • 680.000 IOPS
    • Single-sided
    Artikelnummer: 19299

    Verfügbarkeit: Kurzfristig verfügbar, Lieferzeit ca. 2-5 Werktage

    Weitere Informationen zu Versand und Zahlung

    Samsung 1.0 TB 990 EVO M.2 NVMe SSD (MZ-V9E1T0BW)

    Technische Spezifikationen

    • 1 TB Samsung V-NAND TLC Kapazität
    • Interface: PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 NVMe 2.0
    • Samsung in-house Controller
    • Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer)
    • Formfaktor: M.2 (2280)
    • MTBF: 1.500.000 Stunden
    • Features: TRIM (OS-Unterstützung vorausgesetzt),
      Garbage Collection, S.M.A.R.T
    • Datensicherheit: AES 256-bit Full Disk Encryption
      TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667)

    Für spürbar viel Leistung im Alltag

    Die 990 EVO bietet Ihnen sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 5.000/4.200 MB/s und erreicht zufällig lesend/schreibend bis 700K/800K IOPS. Ein Leistungssprung von bis zu 43% gegenüber der 970 EVO Plus 2 TB. Für Sie heißt das: wenig Wartezeiten beim Gaming und wie im Handumdrehen Zugriff auf große Dateien.

    Spart Strom. Nicht Leistung.

    Schalten Sie Gang hoch - und bleiben Sie in Fahrt. Dank verbesserter Energieeffizienz um bis zu 70% gegenüber der 970 EVO Plus, müssen Sie sich so gut wie keine Gedanken um die Akkulaufzeit machen. Im Modern Standby-Modus bleiben Sie zudem mit dem Internet verbunden und erhalten auch im stromsparenden Zustand Ihre Nachrichten.

    Smartes Temperaturmanagement

    Der Heat Spreader Label der 990 EVO hilft, die Betriebswärme des NAND-Chips effektiv abzuführen. Daneben sorgt der moderne thermische Steueralgorithmus in Verbindung mit der Dynamic Thermal Guard-Funktion dafür, dass die Wärme reguliert und die Perfomance konstant hoch gehalten werden kann. Damit Ihre Leistung heiß läuft, aber nicht Ihr Laufwerk.

    Moderne Technologie mit Leben füllen

    Seit Jahrzehnten ist der Samsung NAND-Flash-Speicher ein Motor für moderne Technologien, die unser tägliches Leben verändert haben. Die NAND-Flash-Technologie treibt unsere SSDs an und schafft Raum für den nächsten Innovationsschub.

    Allgemein

    HerstellerSamsung
    Hersteller ArtikelnummerMZ-V9E1T0BW
    Hersteller Garantie (Monate)60 Mon. Hersteller Garantie (eingeschränkt)
    Verpackungretail

    Laufwerke

    AnwendungsbereichDesktop
    Typintern
    BaugrößeM.2/NGFF 22x80 mm
    SchnittstelleM.2 Key M
    ProtokollNVMe
    internes InterfacePCIe 4.0 x4 - 64 Gb/s
    Cachekein Cache

    Laufwerk Kapazität

    Kapazität1.0 TB

    SSD / Solid State Drive Eigenschaften

    ChiptypV-NAND TLC
    max. Read5.000 MB/s
    max. Write4.200 MB/s
    Rand. Read680.000 IOPS
    Rand. Write800.000 IOPS
    Trim-Unterstützungja
    Endurance0.3 DWPD
    User Casekeine Angabe

    Laufwerk MTBF

    MTBF (Stunden)1.500.000

    M.2 Details

    M.2 AusführungSingle-sided
    M.2 ProtokollPCIe 4.0 x4 - 64 Gb/s
    M.2 PCI Express Lanes4
    Enver Coban
    PLZ Bereich 2, 3

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    vertrieb@primeline.org
    Daniel Poertner
    PLZ Bereich 1, 0

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    vertrieb@primeline.org
    Petar Crnkovic
    PLZ Bereich 7, 8

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    Jörg Engels
    PLZ Bereich 4, 5

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    Torsten Wetzel
    PLZ Bereich 6, 9

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    Alek Körtner
    PLZ Bereich 2, 3

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    vertrieb@primeline.org
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