Artikelnummer: 19299

Samsung 1.0 TB 990 EVO M.2 NVMe SSD

  • M.2/NGFF 22x80 mm
  • PCIe 4.0 x4 - 64 Gb/s
  • Chiptyp: V-NAND TLC
  • max. Read: 5.000 MB/s
  • max. Write: 4.200 MB/s
  • 680.000 IOPS
  • Single-sided
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Samsung 1.0 TB 990 EVO M.2 NVMe SSD(MZ-V9E1T0BW)

Technische Spezifikationen

  • 1 TB Samsung V-NAND TLC Kapazität
  • Interface: PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 NVMe 2.0
  • Samsung in-house Controller
  • Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer)
  • Formfaktor: M.2 (2280)
  • MTBF: 1.500.000 Stunden
  • Features: TRIM (OS-Unterstützung vorausgesetzt),
    Garbage Collection, S.M.A.R.T
  • Datensicherheit: AES 256-bit Full Disk Encryption
    TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667)

Für spürbar viel Leistung im Alltag

Die 990 EVO bietet Ihnen sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 5.000/4.200 MB/s und erreicht zufällig lesend/schreibend bis 700K/800K IOPS. Ein Leistungssprung von bis zu 43% gegenüber der 970 EVO Plus 2 TB. Für Sie heißt das: wenig Wartezeiten beim Gaming und wie im Handumdrehen Zugriff auf große Dateien.

Spart Strom. Nicht Leistung.

Schalten Sie Gang hoch - und bleiben Sie in Fahrt. Dank verbesserter Energieeffizienz um bis zu 70% gegenüber der 970 EVO Plus, müssen Sie sich so gut wie keine Gedanken um die Akkulaufzeit machen. Im Modern Standby-Modus bleiben Sie zudem mit dem Internet verbunden und erhalten auch im stromsparenden Zustand Ihre Nachrichten.

Smartes Temperaturmanagement

Der Heat Spreader Label der 990 EVO hilft, die Betriebswärme des NAND-Chips effektiv abzuführen. Daneben sorgt der moderne thermische Steueralgorithmus in Verbindung mit der Dynamic Thermal Guard-Funktion dafür, dass die Wärme reguliert und die Perfomance konstant hoch gehalten werden kann. Damit Ihre Leistung heiß läuft, aber nicht Ihr Laufwerk.

Moderne Technologie mit Leben füllen

Seit Jahrzehnten ist der Samsung NAND-Flash-Speicher ein Motor für moderne Technologien, die unser tägliches Leben verändert haben. Die NAND-Flash-Technologie treibt unsere SSDs an und schafft Raum für den nächsten Innovationsschub.

Allgemein

HerstellerSamsung
Hersteller ArtikelnummerMZ-V9E1T0BW
Hersteller Garantie (Monate)60 Mon. Hersteller Garantie (eingeschränkt)
Verpackungretail

Laufwerke

AnwendungsbereichDesktop
Typintern
BaugrößeM.2/NGFF 22x80 mm
SchnittstelleM.2 Key M
ProtokollNVMe
internes InterfacePCIe 4.0 x4 - 64 Gb/s
Cachekein Cache

Laufwerk Kapazität

Kapazität1.0 TB

SSD / Solid State Drive Eigenschaften

ChiptypV-NAND TLC
max. Read5.000 MB/s
max. Write4.200 MB/s
Rand. Read680.000 IOPS
Rand. Write800.000 IOPS
Trim-Unterstützungja
Endurance0.3 DWPD
User Casekeine Angabe

Laufwerk MTBF

MTBF (Stunden)1.500.000

M.2 Details

M.2 AusführungSingle-sided
M.2 ProtokollPCIe 4.0 x4 - 64 Gb/s
M.2 PCI Express Lanes4
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